报告题目：低维结构电子磁输运
报告时间：2019-05-22 09:00 (星期三)
报告地点：北洋园校区32 教学楼218 室
报告人：俞国林（中国科学院上海技术物理研究所）

报告摘要： 

自从在LaAlO3/SrTiO3 异质结中发现存在高迁移率电子气以来，各种氧化物异质结如MgZnO/ZnO、Al2O3/SrTiO3、EuO/KTaO3 等逐渐进入人们视野，进一步丰富了氧化物异质结的研究体系，逐步衍生出氧化物电子学（Oxide electronics）。在这个新兴研究领域，LaAlO3/SrTiO3 异质结因存在丰富的物理特性诸如高迁移率电子气、Rashba 自旋轨道耦合效应、二维超导行为以及界面铁磁性等而吸引了人们更多的关注。我们通过脉冲激光沉积技术成功获得了高质量LaAlO3/SrTiO3 异质结样品，并在其中发现了光照可调控的Rashba 自旋轨道耦合效应。近期，我们也研究了AlGaN/GaN 异质结和HgCdTe 反型层中自旋轨道耦合效应和塞曼效应。

报告人简介： 

俞国林，1983 年毕业于中国科学技术大学物理系，1998 年于日本名古屋工业大学获博士学位，并于2000 年被日本名古屋工业大学聘为副教授。2003 年被加拿大国家研究院微结构研究所聘为研究员。2006 年回国至今，任中国科学院上海技术物理研究所研究员，博士生导师，兼任加拿大国家研究院标准测量研究所客座研究员。2008 年获人事部高层次留学人才回国工作项目资助（全国十人之一）。研究领域为低维材料的制备和电输运性质研究，主要包括GaN 材料生长和二维电子气中的自旋-轨道耦合效应。在Nano Letters、Physical Review B、AppliedPhysics Letters 等学术期刊上发表多篇学术论文。