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报告人： 赵宏武 研究员（中国科学院物理研究所 博士生导师）
报告摘要：下一代信息存储器件面临着记录单元尺寸减小导致的量子尺寸效应的挑战。针对现有经典存储信息器件进行升级，并开拓基于量子效应的量子信息存储新器件，是具有重大科学意义和应用前景的前沿课题。研究发现，氧化物薄膜中存在阻变效应，可作为下一代的存储器，有望取代现有内存、硬盘和闪存。报告将简介阻变效应的发展历史与现状，然后介绍通过深入研究物理机制和改进材料微结构，阐明阻变过程中的若干基本问题并提高阻变性能。 报告人简介：赵宏武，中科院物理所研究员，博士生导师，课题组长。1991年毕业于天津大学物理系，1997年于南京大学物理系获得博士学位。2000年在德国马普金属所作访问学者。2001-2003 年在加州大学伯克利校区和劳伦斯－伯克利国家实验室作研究助理。主要的研究方向： 1.阻变效应的物理、材料与器件。2.自旋电子学物理与材料研究；3.新型拓扑绝缘量子材料。 |
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